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DDR1

大容量DDR1是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器,由1个或多个DDR1基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。

产品特性


总容量:1G~8G;

访问速度:最快达7.5ns

数据宽度:8位,16位,72位;

电源电压:2.5V

典型产品辐照指标:

TID: 50 kradSi

SEL: 80 Mev·cm2/mg

SEU: 0.7 Mev·cm2/mg

工作温度:-55~105℃。

 

 

   产品列表

#

DDR1

存储容量(bit

存储组织

电压

访问速度

抗辐射

封装

温度等级

筛选等级

质量等级

TID 1

SEL 2

SEU 3

1

VD1D1G16xS66xx1T7B

1G

64M*16

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

EIS

EBS

EEIBSS

2

VD1D2G16xS66xx2T7B

2G

128M*16

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

EIS

EBS

EEIBSS

3

VD1D2G32xS86xx2T7B

2G

64M*32

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP86

EIS

EBS

EEIBSS

4

VD1D8G08xS66xx8T7B

8G

1G*8

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

EIS

EBS

EEIBSS

5

VD1D8G08xS66xx8T7B-

8G

1G*8

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

EIS

EBS

EEIBSS

6

VD1D8G16xS78xx8T7B

8G

512M*16

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP78

EIS

EBS

EEIBSS


1TID: Total DoseKrads(Si)

2SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

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  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
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  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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