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DDR3

VD3D系列大容量DDR3存储器,由单片或多片DDR3基片采用立体封装工艺进行堆叠而成。其高可靠、小型化的特性广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。

   产品特性

总容量:16Gb; 

频率:最800MHz

位宽16bit72bit

电源电压:1.5V,兼容1.35V

封装:BGA96、BGA199

典型产品辐照指标:

TID: 100 kradSi

SEL: 60Mev·cm2/mg

SEU: 0.4Mev·cm2/mg

工作温度:

0~70℃

-40℃~+85℃

-40℃~+105℃

   产品列表


#

DDR3 

存储

容量

存储

组织

电压

频率 

抗辐射

封装

温度

等级

筛选

等级

质量

等级

TID 1

SEL 2

SEU 3

1

VD3D16G16xB96xx2WH

16Gb

1Gx16

1.5V、1.35V

667MHz

100

60

0.4

BGA96

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

2

VD3D16G72XB199XX2WH

16Gb

256M*72

1.5V、1.35V

667MHz

100

60

0.4

BGA199

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS



1、TID: Total DoseKrads(Si)

2、SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3、SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg


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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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